第三代半导体材料碳化硅因禁带宽度大、 临界击穿电场强度高、 电子饱和迁移速率大、电子密度高、热导率高、介电常数低，具备高频高效、耐高压、耐高温、抗辐射能力强以及化学性质稳定等诸多优越性能，因而能制备出在高温下运行稳定，在高电压、高频率等极端环境下更为稳定的半导体器件，被广泛应用于新能源汽车、光伏、风电、国家电网等领域。在新能源汽车领域，碳化硅器件由于可将模块、周边元器件及冷却机构的体积缩小至1/10，可以起到减小体积简化系统，提升功率密度的作用，已经在充电桩、逆变器、充电机、压缩机等车载装置上实现了批量应用。以碳化硅为代表的第三代半导体被称为“绿色”半导体，对节能减排、产业升级有着极其重要的作用。

团队建立了激光化学气相沉积技术，实现了4英寸碳化硅外延膜的外延生长，(100)、(110)和(111)多取向可控，沉积速度达到40um/h，无微管缺陷。

传统CVD 10⁴个/厘米   激光CVD 10²个/厘米

应用前景：

1、聚焦第三代宽禁带半导体，联合当地上市企业（湖北台基半导体）开发下游产品，服务电力电子、半导体及新能源汽车行业，促进产业升级和行业进步；2、预期产能：SiC外延片生长周期1h/片，10~20片/天，2000~4000片/年；3、预期产值：800~1000美元/片，200~400万美元/年。